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Características del Samsung 9100 PRO MZ-VAP2T0 2TB
El **Samsung 9100 PRO MZ-VAP2T0** es un SSD interno de alto rendimiento diseñado para usuarios que demandan la máxima velocidad, eficiencia térmica y fiabilidad. Gracias a su interfaz **PCIe 5.0 x4** y tecnología **Samsung V-NAND TLC**, es ideal tanto para entornos profesionales como para gaming exigente, estaciones de trabajo o creadores de contenido que requieren tiempos de carga ultrarrápidos y transferencia intensiva de datos.Velocidad extrema con PCIe 5.0 y NVMe 2.0
Este modelo ofrece una de las tasas de transferencia más altas del mercado, gracias a su interfaz **PCIe 5.0** compatible con **NVMe 2.0**, permitiendo flujos de trabajo más ágiles y eficientes. Ya sea para ejecutar software pesado o transferir grandes volúmenes de archivos, el rendimiento está garantizado.- Lectura secuencial: hasta 14.700 MB/s
- Escritura secuencial: hasta 13.400 MB/s
- IOPS lectura/escritura aleatoria 4K: hasta 1.850.000 / 2.600.000
Diseño térmico eficiente y durabilidad avanzada
Incluye un **disipador térmico integrado** que mantiene temperaturas óptimas incluso bajo cargas intensas, prolongando la vida útil del dispositivo y evitando caídas de rendimiento. Además, su resistencia de escritura es de **hasta 1200 TBW**, lo que lo hace ideal para un uso intensivo prolongado.- Disipador térmico metálico incorporado
- Resistencia de escritura: 1200 TBW
- MTBF: 1.500.000 horas
Seguridad avanzada y software de gestión
El Samsung 9100 PRO incluye **cifrado AES de 256 bits** y cumple con el estándar **IEEE 1667**, asegurando que tus datos estén siempre protegidos. Además, con el software **Samsung Magician**, puedes monitorizar el estado del SSD, actualizar firmware y optimizar el rendimiento en tiempo real.- Cifrado por hardware: AES 256 bits
- Compatibilidad con TRIM, S.M.A.R.T. y Device Sleep
- Software incluido: Samsung Magician
Formato compacto y eficiencia energética
Con factor de forma **M.2 2280**, es compatible con una amplia gama de placas base modernas. Su consumo energético es notablemente eficiente para su nivel de prestaciones, incluyendo un modo de bajo consumo para reposo y estado dormido.- Factor de forma: M.2 2280
- Consumo: 8.1 W (lectura), 7.9 W (escritura), 4.8 W (en espera), 4 mW (modo dormido)
- Dimensiones: 81.3 x 22.9 x 8.89 mm | Peso: 31.8 g
Otras especificaciones
- Tipo de memoria: NAND TLC (Triple-Level Cell)
- Temperatura operativa: de 0 °C a 70 °C
- Tolerancia a golpes (no operativo): hasta 1500 g
- Cumplimiento de normativas: IEEE 1667
- Incluye caja para colgar en retail
En caso de que haya tenido un problema de seguridad o accidente con los productos comercializados por nuestra empresa o necesita realizar cualquier reclamación o solicitud de información de seguridad relacionada con dichos productos por favor contacte con nosotros a la mayor brevedad posible en la siguiente dirección:
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